Новый патент: вертикальные полупроводники через двойное травление
Патент US20240123456A1 описывает метод создания вертикального полупроводникового устройства через двойное травление активной зоны.
Технология может снизить себестоимость микрочипов и ускорить запуск новых электронных устройств.
Продавцам гаджетов и аксессуаров стоит следить: компоненты станут тоньше и мощнее.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
