Новый патент: компактнее MOSFET-транзисторы на базе SiC
Опубликован патент US20240123456A1: метод упрощения производства силовых SiC-транзисторов за счёт использования разницы в скорости окисления поликремния и SiC.
Без маски формируется изолирующий слой, который автоматически задаёт точку контакта — повышая плотность компонентов и снижая погрешности.
Это важно для стартапов в энергетике и e-commerce девайсах.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
