Новый патент TSMC: улучшенные GAA-FET для энергоэффективных чипов
TSMC получила патент US20240111242A1 на усовершенствованный полупроводниковый интерфейс с технологией селективного нанесения изолирующего материала.
Улучшение GAA (Gate-All-Around) и FinFET архитектур открывает новые возможности для мобильных чипов и IoT-девайсов.
Это важно для e-commerce брендов, создающих смарт-гаджеты: экономия энергии — конкурентное преимущество.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
