Патент на энергоэффективные MOSFET: меньше утечек — выше надежность
Патент US20240123456A1 описывает улучшенные архитектуры MOSFET с низкими токами утечки и высокой линейностью.
Это важно для брендов в e-commerce, использующих IoT или зарядные устройства: надёжные чипы — минимальные возвраты.
Следи за новыми чипами — это часть конкурентного преимущества.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
