Intel патентует 2D-память с четырьмя транзисторами в ячейке
Intel получила патент US11978945B2 на 2-транзисторную вертикальную ячейку памяти с проводящим экраном.
Это решение может удвоить плотность хранения данных и уменьшить энергопотребление — критично для мобильной электроники и умных устройств.
Продавцам электроники и продуктовых стартапов стоит следить за этой технологией.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
