Samsung упрощает производство мощных чипов
Samsung разрабатывает новый способ создания транзисторов — патент US20240123456A1 описывает размещение затвора в углублённой области, глубина которой меньше глубины легированной зоны.
Это улучшает управление током, повышает энергоэффективность и может снизить издержки производства.
Брендам на рынке электроники стоит учитывать потенциал роста таких решений.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
