Новый патент на улучшенные вольфрамовые соединения в чипах
Патент US20240123456A1 описывает способ ионной наплавки вольфрама, создающий сверхпроводящие интерконнекты с практически идеальной структурой (110).
Такая технология — ключ к более быстрым и энергоэффективным чипам.
Это напрямую влияет на производительность мобильных девайсов, носимой электроники и складских решений для e-commerce.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
