Новый патент на энергоэффективную MRAM-память
Патент JP2024067890A описывает энергоэффективную технологию MRAM — памяти с магниторезистивными элементами, способными быстро переключаться между состояниями под действием напряжения.
Это ускорит работу гаджетов и увеличит срок службы устройств.
Следите за новыми компонентами, влияющими на e-commerce.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
