Intel патентует 2D-память с четырьмя транзисторами в ячейке
Intel патентует 2D-память с четырьмя транзисторами в ячейкеIntel получила патент US11978945B2 на 2-транзисторную вертикальную ячейку памяти с проводящим экраном.Это решение может удвоить плотность хранения данных и уменьшить энергопотребление — критично для мобильной электроники и умных устройств.Продавцам электроники и продуктовых стартапов стоит следить за этой технологией.Подписывайся на сайт www.tmark.pro