Samsung патентует способ очистки фоторезиста без повреждений
В патенте US20240123456A1 описан состав с моноспиртом и полигидроспиртом, который бережно очищает фоторезист без разрушения шаблона.
Это снижает дефекты и повышает однородность при изготовлении чипов.
Для брендов микроэлектроники — шанс увеличить yield и снизить брак.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
