Патент на быструю отделку полупроводников от субстрата
Патент US11968945B2 описывает, как отделять полупроводниковые слои от подложки с помощью супертонкой сверхрешётки.
Технология особенно перспективна для массового производства светодиодов и радиочастотных компонентов.
Это удешевляет девайсы и открывает путь для ODM-брендов в электронике.
Подписывайся на сайт www.tmark.pro
